凭啥敢30天包退！ 昂达GTS450神戈做工解析

  【天极网DIY硬件频道】春节将至，广大游戏迷们终于可以安安心心地补一补以前落下的”功课“了。常言道：工欲善其事，必先利其器。想在《使命召唤7》中获得流畅的游戏速度和优秀的画质，没有一片好显卡可不行。目前中端显卡市场，最为热门的显卡非GTS450莫属，在诸多同芯片产品中，使用全钽聚合物电容、4+2相供电，频率900/4200MHz且具备外置超频开关的昂达GTS450 1GB神戈更是成为了万众瞩目的焦点。对看惯了固态电容、已经“审美疲劳”的消费者而言，比公版GTS450快25%，而又做工优秀的GTS450神戈，极具诱惑力。除了产品本身之外，昂达还延续了其在GTX460神戈上所做的服务：任何购买昂达GTS450神戈的用户，均享受30天无条件退换服务。究竟是什么让昂达能够有这样的自信？下面就让我们一睹这款显卡的独特魅力。

  昂达GTS450 1GB神戈

  高端显卡Style 不变的全钽电容

  表面用聚氧树脂包裹而成的T491，俗称“黄钽”

  我们知道，GF106核心的流处理器个数是192个，定位中端，但价格中端，却不意味着做工也一定要“中端”。拆除GTS450神戈的散热器后，传统的固态电容已经不见了。输入部分为10颗美国KEMET的T491 100μF钽聚合物电容，它与MLCC陶瓷电容共同组成了12V输入端电容部分。另外在两个12V输入接口处还各有一个扼流线圈，用来辅助滤波。而黑色的钽聚合物电容为三洋的470μF POSCAP(也有厂商把它叫做Hi-c CAP)。与前者相比，它主要是用作输出端电容，正面、背面总计26颗。无论是POSCAP(HI-C)还是Kemet，其本质都是钽聚合物电容。这种电容的阳极是烧结钽，阴极是高导电性高分子聚合物。这种电容采用了导电性高分子材料，实现了更低的ESR及可靠性方面的改善，烧结钽充分发挥了钽的高介电系数特性，实现了小型电容器的大容量化。

  成排的”Hi-C“电容

  三洋官网上可以清楚地看到PosCAP系列电容实际上就是所谓的Hi-C

  与普通固态电容相比，钽聚合物电容主要有五大优点：低ESR 和低阻抗、卓越的耐高温性、更长的寿命、出色的安全性、体积小。 由于电解质不含氧原子，发生短路时不易燃烧，具有更高的安全性。与同等容量的其它电容器相比阻抗为1/3~1/10，而且相比普通固态电容，钽聚合物电容的寿命最长可达150万小时，且不会出现电解液干涸导致电容无法工作的现象。最高可承受30A以上电流的冲击，其采用的高分子材料耐热性更高，达到无铅化回流焊的温度要求，相比同容量同耐压的其他电容，体积颗减小1/3-1/10。 从钽电容具备的这些优点来看，其规格品质确实要比固态电容高出不止一个档次。在目前国内大型显卡厂商中，推出全卡使用钽聚合物电容产品的，目前只有昂达。

  Kemet T491技术资料

  具体到Kemet和POSCAP这两种钽聚合物电容之间，彼此又有一些显而易见的差别。主要体现在漏电流量、ESR值和寿命上。一、漏电流量;Kemet T491钽聚合物电容为9.4UA，三洋POSCAP钽聚合物电容为10.UA(漏电流量越小越好);二;ESR值，Kemet钽聚合物电容ESR值最低可达3mΩ，三洋POSCAP钽聚合物电容为5mΩ;三、寿命，Kemet T491钽聚合物电容设计寿命为150万小时，三洋POSCAP钽聚合物电容为20万小时。综上所述，三洋POSCAP(Hi-C)虽然电气性能不如KEMET的出色，但容量较大、成本低、可以使用多颗，也算是摊低了显卡的成本。即使做工再出色的GTS450也不可能完全脱离其芯片对性能的限制，合理的用料和定价，是对市场必要的妥协。

  背面有12个三洋POSCAP(Hi-C)钽聚合物电容

  4+2相供电 迄今为止GTS450最高规格

  4+2相供电

  NEXSEM NX2423

  通常情况下公版GTS450使用3+1相供电，而昂达GTS450 1GB神戈核心部分采用加强型4相供电设计，PWM控制芯片为Richtek的RT8841，同置驱动IC。每相配有两个全封闭电感和两上两下4个Mosfet，最高900KHz开关频率，每相可以稳定提供35A电流供应。总共六相供电，最高提供210A电流，并能保持86.34%以上的电源转换效率，足以满足显卡大幅超频使用。而传统的模拟供电方案开关频率仅仅为300K Hz附近，每相仅仅稳定提供30A电流，速度、精度和集成度都有所差距。不仅如此，双电感并联还有助于增加单相可提供电流，这样整卡的输出电流就会增加，以承受GPU超频后所需要的额外电流。

  供电主控芯片RT8841性能

  在显存供电部分，昂达GTS450 1GB神戈采用2相供电，每相配有一上一下2个Mosfet。显存供电部分位于PCB顶部，2相供电设计，每相1个电感，一上一下共2个Mosfet，PWM控制芯片为NEXSEM的NX2423。

  GTS450神戈待机纹波电路图

  上图是核心供电的纹波图，在待机状态下，昂达GTS450 1GB神戈的核心纹波仅有9.2mv，而公版在783/3800MHz频率下，核心纹波则接近20mv，相当于前者的2倍。纹波电压越低，核心获得的电流就越纯净，供电的改进和提升确实提升了显卡的稳定，也为高频乃至超频操作提供了更好的基础。

  除此之外，供电相数较多的优势还体现在功耗上。测试数据显示：虽然待机情况下，由于设定频率较高，昂达GTS450 1GB神戈比公版显卡高3～4W，但在负载功耗上4+2相供电的优势就显现出来了，该显卡在公版频率下负载比普通GTS450显卡低14W，而在加压超频到900/1800/4200MHz时也只是比公版显卡高16W(再次优化测试环境后，准确值应为10W)，与性能提高的幅度相比，功耗的提高几乎可以忽略不计。

  HDT直触式风扇 散热效率提高27%

  虽然GF106核心散热大幅度降低，40nm工艺以及192个sp流处理器的热量压力较之GTX460的GF104显然要小很多。但是因为较高的频率设定，昂达这款GTS450神戈采用由CoolerMaster制造的双热管散热器，散热器由两条8mm直径热管加32片铝质散热鳍片构成，搭配8cm PWM调速风扇足够压制发热量不大的GF106核心。同时，热管表面经过镀镍处理，可以有效防止氧化腐蚀。另外，散热器采用热管直触式设计，热管可以直接接触GPU表面，散热效率提高35%。风扇部分，使用了FY08015H12LPA CoolMaster原厂风扇，4pin，可调速。

  显卡散热器

  风扇

  公版频率，待机状态28度

  测试环节模拟真实全封闭机箱内环境，在上图公版频率下(783/3608MHz)，昂达GTS450 1GB神戈待机时核心电压下降为0.962V，核心/Shader/显存频率下降为405/810/648MHz，而公版显卡是能下降到51/101/540MHz的(据消息灵通人士反应，公版待机频率有可能在运行部分以前2D、准3D游戏时，出现花屏等兼容性问题。未经考证，不敢罔言)。待机5分钟后，其GPU核心温度稳定在28℃，风扇转速2600RPM，但是风扇产生了少量的噪音。

  公版频率、满载48度

  公版频率满载环境下，昂达GTS450 1GB神戈的GPU核心温度为48℃，电压为1.05V。散热器性能比较出色，而且该模式下满载风扇转速依然保持和待机情况下相同。

  900/4200MHz高频下，满载56度

  在900/4200MHz高频下，昂达GTS450 1GB神戈的满载温度达到了56度，此时GPU电压为1.125V。在Furmark测试，昂达GTS450 1GB神戈温度表现出色，虽然风扇转速已达2800转，但所产生的噪音不足40db，较之低频高12%。在全封闭机箱中几乎可以忽略不计。从实际使用情况考虑，鉴于几乎没有任何一位玩家会让自己的显卡全天8小时处于Furmark级的环境下，昂达GTS450 1GB神戈量产所使用的散热器表现已属上乘。

  除了上述特点之外，昂达GTS450 1GB神戈在跳线和外置超频开关之间，选择了后者。在关机后，用户可通过调整跳线，改变显卡的频率，可玩性明显提高。

  目前，GTS450的市场价格多集中在799-899元。其中虽然不乏精品，但像昂达GTS450 1GB神戈这样特点突出的，却是不多。现在，显示核心的发展正朝着低压、大电流的方向发展。传统固态电容和电路设计，即使可以在某一个负载点达到最优，也无法保证在高频率下运行的显卡整体功耗、温度始终处于一个较低的范围。只有引入ESR值更低、电流损耗率更低的电容;使用体积更小、散热量更低的贴片式设计;增加供电相数，均匀地将电流分到每相供电，才可以打造出从轻载到满载全功率范围内效率最佳化，同时满足大幅度的瞬态响应要求、适合玩家超频的显卡。从这个角度来说，昂达GTS450 1GB神戈可以算作开中端显卡价格、高端显卡做工之先河，称得上迄今为止最为奢华的GTS450。