JEDEC公布HBM2E标准：单Die带宽410GB/s

  【天极网DIY硬件频道】固态存储协会(JEDEC)在本周发布第三版HBM2存储标准JESD235C，将针脚带宽提高到3.2Gbps，前两版分别是2Gbps、2.4Gbps，环比提升33%。按照设计规范，单Die最大2GB、单堆栈12 Die(无标准高度限制)，也就是24GB容量，匹配1024bit位宽，单堆栈理论最大带宽410GB/s。对于支持四堆栈(4096bit)的图形芯片来说，总带宽高达1.64TB/s。第三代HBM2的电压和第二代的1.2V相同，比第一代的1.35V有所下降。 

  3.2Gbps的第三代HBM2早先由三星和SK海力士提出，并更名为HBM2E，这种说法得到JEDEC默认。在JESD235C标准发布的同时，三星宣布名为Flashbolt(前两代名为Flarebolt和Aquabolt)的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片将在上半年量产，单颗最大容量16GB，由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。三星的第三代HBM2E甚至支持超频，单针脚可加速到4.2Gbps，单堆栈最大带宽从而升至538GB/s。 

  与目前高端独显采用的256bit GDDR6、14Gbps的针脚带宽的显存相比，总带宽448GB/s仅略高于一个第三代HBM2堆栈的水平。考虑到HBM2更容易扩充总线宽度，GDDR6过犹不及，况且单堆栈最大容量就能达到24GB，四堆栈直逼100GB。 

  随着第三代HBM2E显存标准的发布，2020年的显卡市场也将变得更加热闹。NVIDIA将在今年推出全新的安培(Ampere)架构GPU，虽然消费级市场依然采用GDDR显存，但是高端的计算卡将会搭配全新的HBM2E显存，睇来更强的数据吞吐能力;AMD也计划在2020年推出支持实时光线追踪技术的RDNA2架构产品，旗舰起产品可能搭载HBM2E显存;另外，英特尔高性能计算卡、加速卡也可能会采用HBN2E显存。