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三星公布HBM2E显存：64G容量加1.64T带宽

2019-03-21 11:22:18 作者：殇信

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  【天极网DIY硬件频道】从2015年AMD的Fury X快开始，HBM显存逐渐出现在消费级市场上;随着AMD在2017年发布VEGA 56和VEGA 64，宣告HBM显存进入 第二代。NVIDIA在2018年带来搭载HBM2显存的Volta架构。

  最为全球最大的存储产品供应商，三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，这也是业界最早符合HBM2E规范的存储产品。三星将Flashbolt KGSD定位瞄准下一代数据中心、HPC、AI/ML和图形应用程序。NVIDIA广受欢迎的GV100图形处理器就是三星HBM2显存的用户之一。

  根据三星官方的公布数据，新Flashbolt存储器堆栈将提高33%性能，并为每个芯片提供双倍容量以及每个封装的双倍容量。

  三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器芯片，使用TSV(通过硅通孔)技术以8-Hi堆栈配置互连，每个Flashbolt封装都具备1024位总线，每个引脚的数据传输速率为3.2 Gbps，让每KGSD高拥有410GB/s的带宽。

  三星Flashbolt KGSD在拥有4096位宽的存储器接口上，通过四个Flashbolt堆栈的方式，让开发人员获得64GB显存、最高1.64TB/s峰值带宽，大容量和高带宽是这款芯片的优势，也能更好的处理各种实用需求。如果使用两个Flashbolt KGSD的话，最高可获得32GB显存、峰值带宽为820GB/s。

  三星表示已经完成了Flashbolt HBM2E显存的技术开发，单目前尚未开始批量生产。

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