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三星8GB HBM2显存增产:单颗带宽达256GB/s

Yesky天极新闻 2017. 07. 18 作者:August 责编:熊嫒
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  【天极网DIY硬件频道】SK海力士曾联合AMD钻研8年带来了第一代HBM显存,并由Fiji R9 Fury系列显卡全球首发。虽然第二代HBM显存HBM2三星在2016年6月就实现了量产,研发时间缩短,但由于技术问题,至今也没有被应用于GeForce游戏显卡。好在,刚刚三星电子宣布“正在提高8GB HBM2(第二代高带宽显存)的产能,预计2018年上半年8GB HBM2将占其HBM2产能的50%以上。”

  三星电子表示,自家的HBM2拥有业内最强性能、可靠性和能效,并申请了超过850项专利。如今提高8GB HBM2产能是为了满足不同领域的市场需求,其中包括AI人工智能、HPC高性能计算、高级图形、网络系统、企业服务器等。

三星8GB HBM2显存增产:单颗带宽达256GB/s
三星8GB HBM2显存增产:单颗带宽达256GB/s

  据了解,三星8GB HBM2显存有八颗8Gb Die封装组成,并在底部设置了一个缓冲Die,全部使用硅穿孔(TSV)和微凸块(microbump)技术垂直串联在一起,总计超过4万个TSV,不仅增强了数据传输性能,还提高散热性;同时还能提供单颗256GB/s的带宽,相比GDDR5 32GB/s提高了超七倍。

  这样一来,NVIDIA下一代Volta GeForce显卡将有望采用三星8GB HBM2显存,届时搭载这一系列显卡的游戏本性能将大幅提升。

作者:August责任编辑:熊嫒)
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