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三星8GB HBM2显存增产:单颗带宽达256GB/s

2017-07-18 14:00:30 作者：August

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  【天极网DIY硬件频道】SK海力士曾联合AMD钻研8年带来了第一代HBM显存，并由Fiji R9 Fury系列显卡全球首发。虽然第二代HBM显存HBM2三星在2016年6月就实现了量产，研发时间缩短，但由于技术问题，至今也没有被应用于GeForce游戏显卡。好在，刚刚三星电子宣布“正在提高8GB HBM2(第二代高带宽显存)的产能，预计2018年上半年8GB HBM2将占其HBM2产能的50%以上。”

  三星电子表示，自家的HBM2拥有业内最强性能、可靠性和能效，并申请了超过850项专利。如今提高8GB HBM2产能是为了满足不同领域的市场需求，其中包括AI人工智能、HPC高性能计算、高级图形、网络系统、企业服务器等。

三星8GB HBM2显存增产:单颗带宽达256GB/s
 三星8GB HBM2显存增产:单颗带宽达256GB/s

  据了解，三星8GB HBM2显存有八颗8Gb Die封装组成，并在底部设置了一个缓冲Die，全部使用硅穿孔(TSV)和微凸块(microbump)技术垂直串联在一起，总计超过4万个TSV，不仅增强了数据传输性能，还提高散热性;同时还能提供单颗256GB/s的带宽，相比GDDR5 32GB/s提高了超七倍。

  这样一来，NVIDIA下一代Volta GeForce显卡将有望采用三星8GB HBM2显存，届时搭载这一系列显卡的游戏本性能将大幅提升。

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