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为摩尔定律续命 英特尔公布多项3D封装技术

2019-07-11 18:56:57 作者：惜

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  【天极网DIY硬件频道】英特尔本周在旧金山召开的SemiCon West大会上，公布英特尔在半导体领域的最新研究成果，发布三种新3D封装工艺，除了已经公布的EMIB和Foveros外，新的全方位互联(ODI)技术也正式亮相。

  作为芯片制造过程中的最后一步，封装虽然很少被提及，但一直发挥着极为关

键的作用。在传统2D封装技术渐至瓶颈的时候，半导体制造商开始把目光转向3D堆叠工艺，英特尔的Foveros是其在2018年提出，下半年正式发售的LakeField处理器将率先使用。EMIB允许芯片模块间的高速内联，可以在低功耗的情况下提供非常高的带宽和IO密度。

  新的Co-EMIB技术是将EMIB和Foveros相结合，保留两项技术原有的优点，可以在低功耗高带宽的情况下连接模拟电路、内存以及其他的周边元件。

  ODI全称Omni-Directional Interconnect(全方位互联)技术，封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。3D封装有两个维度，一是水平方向上芯片间互相通信，另一个是垂直方向上的。新的ODI封装技术减少了与通讯总线接触的面积，节约出来的面积就可以直接连通底层供电，减少中间层可能发生的漏电情况，大幅提升了供电性能。

  MDIO是最为概念性的技术，其基于高级接口总线(AIB)物理层互连技术，英特尔发布了这种名为MDIO的全新裸片间接口技术，对小芯片IP模块库的模块化系统设计，将提供两倍的带宽和更高的电源效率。

  在摩尔定律渐至瓶颈的情况下，英特尔正在不断探索新的方式来维持处理器性能的不断提升，3D封装技术也是业界最为关注的重点之一，包括英特尔、台积电等企业也不断研究探索。

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