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英特尔Xe加速卡将采用7nm工艺与2D+3D封装

2019-06-19 23:55:04 作者：惜

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  【天极网DIY硬件频道】在错过移动互联网大潮之后，英特尔不愿意再错过可能的机会。英特尔近几年收购了FPGA厂商Altera、自动驾驶厂商Mobileye，同时加快了处理器更新换代，并计划在2020年推出Xe独立显卡。

  从2018年下半年官宣开始，英特尔高性能GPU计划Xe的节奏已经基本定调，第一代产品最快在2020年上市，英特尔同时计划在2021年推出7nm工艺的Xe显卡。

  在ISC国际超算大会上，英特尔进一步公开用于加速计算的Xe GPU细节，美国微博的用户Ahmad Ali曝光英特尔在ISC19大会上的PPT，该PPT详细介绍Xe加速卡的独特之处。

  英特尔已经在5月宣布，2021年将推出7nm工艺，首发该工艺的就是Xe高性能GPU，并非常见的CPU芯片。原因是英特尔认为，CPU电路的复杂程度比GPU高得多，优先在GPU进行生产等待工艺成熟，在导入到CPU的生产当中。

  英特尔Xe加速芯片还会用上2D的EMIB封装、3D的Foveros封装技术，英特尔将通过这两种先进的封装技术，为Xe GPU带来不同工艺、不同架构的小芯片进行封装，意味着Xe GPU里面的芯片不全是7nm工艺，可能还会有14nm或10nm工艺。

  英特尔给Xe加速GPU芯片用上7nm工艺，很大原因是为2021年的Aurora超算，这部百亿亿次超算将由英特尔负责提供CPU及GPU加速芯片。

  上面提到的Xe加速GPU都是用于高性能计算市场的Xe，消费级的Xe显卡将在2020年发布，官方曾表示其将使用10nm工艺制造，也不排除英特尔需找第三方晶圆厂代工，毕竟现在14nm产能依然十分紧张。

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